سامسونگ یک تراشه حافظه با پهنای باند بالا (HBM) توسعه داده است که بالاترین ظرفیت را در این صنعت دارد. غول کره جنوبی ادعا می‌کند که تراشه HBM3E 12H هم عملکرد و هم ظرفیت را بیش از ۵۰ درصد افزایش می‌دهد. این تراشه در توسعه هوش مصنوعی کاربردهای بسیاری دارد.
براساس اعلام رسمی بلاگ سامسونگ، تراشه حافظه HBM3E جدید تا ظرفیت ۳۶ گیگابایت در هر پشته را ارائه می‌دهد. این تراشه جدید اولین حافظه ۱۲ پشته‌ای HBM3E در دنیا است که بالاترین ظرفیت تا به امروز را دارد. HBM3E 12H سامسونگ پهنای باند بالا تا ۱۲۸۰ گیگابایت‌برثانیه را فراهم می‌کند و در مقایسه با تراشه ۸ پشته‌ای HBM3 8H، بیش از ۵۰ درصد بهبود یافته است.
تراشه حافظه HBM3E 12H سامسونگ
سامسونگ در تراشه جدید به کاهش ضخامت مواد NCF خود ادامه داده و به کمترین فاصله بین تراشه‌ها (هفت میکرومتر) دست یافته است. این امر منجر به افزایش تراکم عمودی حدود ۲۰ درصدی در مقایسه با HBM3 8H می‌شود. به‌عبارتی، این تراشه جدید تقریباً به اندازه همان ارتفاع پشته ۸H است و امکان استفاده از بسته‌بندی HBM مشابه را فراهم می‌کند.
مدل‌های هوش مصنوعی مولد مانند ChatGPT به تعداد زیادی تراشه حافظه نیاز دارند. چنین تراشه‌هایی به مدل‌های هوش مصنوعی مولد این امکان را می‌دهند که جزئیات مکالمات گذشته کاربر را به‌خاطر بیاورند تا پاسخ‌های طبیعی‌تری بدهند.
آخرین مطالب
- نئاندرتالها و انسانهای امروزی در کوههای زاگرس ایران با یکدیگر آمیزش کردند_فرنگی
- شبکه اجتماعی ایکس در دادگاه استرالیا بازنده شد و باید جریمه پرداخت کند_فرنگی
- گوگل کیبورد حلقهای دو طرفهای بهفُرم نوار موبیوس ساخت! [تماشا کنید]_فرنگی
- این دو بازیکن استقلال را پلیس راهور برد! + تصاویر_فرنگی
- آپدیت جدید تلگرام از راه رسید؛ بازطراحی تماسهای ویدیویی در آیفون_فرنگی
با رشد تصاعدی برنامه‌های هوش مصنوعی، انتظار می‌رود HBM3E 12H یک راه‌حل بهینه برای سیستم‌های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. برای مثال پردازنده گرافیکی انویدیا H200 دارای ۱۴۱ گیگابایت HBM3E است که در مجموع با سرعت ۴.۸ ترابایت‌برثانیه کار می‌کند. H200 از شش ماژول ۲۴ گیگابایتی تراشه HBM3E 8H استفاده می‌کند. همین ظرفیت را می‌توان تنها با چهار ماژول تراشه جدید ۱۲H به‌دست آورد.
بر اساس برآوردهای سامسونگ، ظرفیت بیشتر تراشه ۱۲H، سرعت آموزش هوش مصنوعی را تا ۳۴ درصد افزایش می‌دهد.
